
跨行业技术攻坚:突破 AI 计算的能耗天花板
全球科技巨头软银与芯片制造商英特尔宣布达成战略合作,联合开发专为 AI 场景设计的新型内存芯片。这项创新技术通过颠覆性的堆叠式 DRAM 架构,可将芯片功耗降低 50%,为解决 AI 数据中心高能耗难题提供关键方案。双方已成立合资公司 Saimemory,整合英特尔芯片技术与东京大学等机构的专利成果,计划在 2020 年代末实现商业化应用。
业内数据显示,当前 AI 训练服务器的内存功耗占整体能耗的 35%-40%,某大型云厂商 AI 集群年耗电量相当于 30 万个家庭的用电总和。软银与英特尔的技术突破,直指这一行业痛点 —— 新型芯片采用完全不同于 HBM 的三维垂直堆叠架构,通过硅通孔(TSV)技术实现存储单元的高密度集成,在保持 1.2TB/s 带宽的同时,将每比特能耗降至传统方案的 1/2.
一、技术突破:三大创新重构内存能效比
「异质集成架构」
存储计算融合:在 DRAM 芯片中嵌入低功耗逻辑电路,实现数据就地处理,减少 80% 的总线传输能耗;
混合键合技术:采用铜 - 铜直接键合替代传统焊球,互连密度提升 10 倍,信号延迟降低至 50ps;
动态功耗分配:通过英特尔的 Xeon-D 控制器,可根据 AI 任务负载(如训练 / 推理)自动调节内存电压频率。
「散热设计革命」
三维堆叠层数达 128 层,每层厚度控制在 3μm 以内,热阻降低 60%;
内置微流道散热结构,配合软银研发的相变材料,使芯片结温控制在 75℃以下;
采用无引脚倒装封装(FCBGA),散热面积较传统封装增加 3 倍。
「制程工艺升级」
存储单元采用英特尔 10nm SuperFin 工艺,漏电率较 28nm 工艺降低 75%;
逻辑电路部分使用软银自研的存算一体架构,算力密度提升至 2.5TOPS/mm²;
引入东京大学开发的原子层沉积技术,使介电层厚度控制在 1nm 以内。
二、产业协同:Saimemory 的生态构建策略
「产学研一体化」
合资公司 Saimemory 已建立三大技术联盟:
研发联盟:与东京大学、日本理化学研究所共建 "AI 内存联合实验室",聚焦新型存储介质研发;
制造联盟:委托台积电 4nm 工艺生产线进行晶圆制造,长电科技负责先进封装;
应用联盟:软银愿景基金已投资 3 家 AI 初创公司,确保芯片落地自动驾驶、药物研发等场景。
「商业化路线图」
2026Q2:完成 4GB 原型芯片流片,在 ImageNet 数据集上进行能耗测试;
2027Q4:推出 16GB 工程样品,与英伟达 H100 GPU 进行兼容性验证;
2028Q2:通过 ISO 14064 碳足迹认证,启动三星、SK 海力士等代工厂量产准备。
「政策资源整合」
项目已获得日本经济产业省(METI)的 "绿色增长战略" 专项支持,包括:
15 亿日元研发补贴(约合 7500 万人民币);
茨城县数据中心园区的土地优惠政策;
优先接入日本超级计算机 "富岳" 的仿真资源。
三、行业影响:重塑 AI 基础设施的能耗标准
「数据中心变革」
运营成本下降:某超算中心测算显示,采用新芯片后 PUE 值可从 1.5 降至 1.2.年电费节省约 8000 万元;
部署密度提升:单机柜算力从当前 20PFlops 提升至 50PFlops,空间利用率提高 2.5 倍;
碳中和加速:按全球 AI 算力年增速 50% 计算,该技术可使 2030 年行业碳排放量减少 1.2 亿吨。
「供应链重构」
内存市场洗牌:预计 2029 年新型芯片将占据 AI 内存市场的 35% 份额,传统 HBM 厂商面临技术迭代压力;
材料商机遇:信越化学的低介电常数薄膜、住友电木的封装基板需求将迎来爆发式增长;
中国企业跟进:长鑫存储、兆易创新已启动类似技术研发,中科院微电子所加入标准制定工作组。
四、技术延伸:从内存革新到算力网络重构
软银透露,该芯片未来将集成三大进阶功能:
光互联接口:内置硅光子模块,支持 100Gbps 级芯片间通信,解决 AI 集群的带宽瓶颈;
存算一体架构:在 DRAM 中嵌入 MRAM 存储单元,实现训练数据的近存计算;
量子纠错设计:预留量子比特接口,为未来量子 - 经典混合计算做准备。
"这不仅是内存芯片的升级,更是算力基础设施的绿色革命。" 英特尔高级副总裁 Sandra Rivera 表示,双方正与 OpenAI、DeepMind 等机构合作,开发适配新型内存的 AI 框架优化方案。随着技术成熟,AI 算力成本有望在 2030 年前下降 70%,为通用人工智能的发展奠定硬件基础。
(数据来源:软银技术发布会资料、SEMI 全球半导体市场报告)
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