三星宣布成功完成 8 纳米 5G 射频解决方案开发：功率效率提高 35%

  三星官网今天发布消息称，该公司推出了基于8纳米技术的射频技术。

  三星表示，该先进技术有望提供5G通信单芯片解决方案，专门用于支持多通道和多天线芯片设计。三星的8纳米射频平台将公司在5G半导体市场的地位从Sub-6GHz频带扩展到毫米波应用。

  三星8纳米射频技术是射频相关解决方案的补充，包括28纳米和14纳米。自2017年以来，三星为高端智能手机发货了5亿多个移动终端射频芯片。

  通过卓越的创新和工艺制造，我们加强了下一代无线通信产品。三星电子代工技术开发团队主管HyungJinLee说。随着5G毫米波的扩展，在紧凑型移动终端上寻求更长的电池寿命和优良的信号质量的客户，三星8纳米射频将成为一个很好的解决方案。

  随着先进节点的扩展，数字电路在性能、功耗和面积(PPA)方面得到了显着改善，但模拟/射频模块由于退化寄生效应(例如狭窄线宽引起的电阻增加)没有得到改善。因此，大多数通信芯片倾向于射频特性退化，如接收频率放大性能劣化和功耗增加。

  为了克服模拟/射频扩展的挑战，三星开发了一种独特的8纳米射频专用结构，名为RFextremeFET(RFeFET)，可以显著改善射频特性，降低功耗。与14纳米射频相比，三星RFeFET补充了数字PPA扩展，恢复了模拟/射频扩展，实现了高性能5G平台。

  三星在新闻稿中写道，三星的技术优化限度地提高了渠道的移动性，同时限度地减少了寄生效应。由于RFeFET的性能大幅提高，射频芯片的晶体管总数和模拟/射频块的面积可以减少。与14纳米射频相比，由于RFeFET架构的创新，三星8纳米射频技术提高了35%的功率效率，射频芯片面积减少了35%。