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据外媒Neowin消息，韩国芯片制造商SK海力士今天宣布，已利用EVU极紫外光刻机，研制出1anm芯片制造工艺。与2019年推出的1znm工艺相比，该技术密度更高，芯片功耗更低。
官方表示，该技术可以在相同的晶圆面积下增加多达25%的芯片产量。
海力士1anm技术可以使智能手机广泛使用的LPDR4内存芯片达到4266Mbps的高速，与更先进的LPDR4X芯片频率一致。不仅如此，新工艺的内存芯片功耗可以降低20%。
搭载海力士1anm工艺内存芯片的智能手机预计将于今年下半年上市。未来，海力士将该工艺应用于LPDDR5内存的生产。
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