HBM现货价格暴涨至长期合约五倍:存储疯狂内卷加剧现货紧缺

2026-09-01 11:53:29 来源:快科技
        【每日科技网】

  据媒体报道,用于AI加速器的高带宽内存(HBM)等DRAM产品价格持续飙升。

  近日业界指出,合计占据全球存储芯片市场约70%份额的三星电子与SK海力士,已难以跟上激增的DRAM需求,供需缺口仍在扩大。

  据韩国国际贸易协会(KITA)8月31日公布的数据,韩国AI芯片用DRAM出口量由5月的约6.817亿个降至7月的5.9174亿个,减少13.2%;同期出口总额却从114.3亿美元增至135.5亿美元,增长18.5%。平均单价由16.76美元涨至22.90美元,涨幅达36.6%。

  媒体报道指出,量减价涨的背离,源于HBM4向英伟达等大客户的供货放量:HBM4仍处于量产初期,良率低于上一代HBM3E,生产中消耗的DRAM晶圆更多,这令DRAM的整体短缺进一步加深。

  据业内消息,三星存储事业部已将2031年前约70%的产能分配至长期协议(LTA)订单,主要交易对象包括英伟达、微软和谷歌等全球科技巨头。然而,即便是这些核心客户,也无法拿到全部合约量。

  现货市场的价格信号更为剧烈。存储市场研究机构MegaGrid Supply最新数据显示,36GB的HBM3E现货售价已达2100美元(约合287万韩元),是其长期合约价格(约50万至70万韩元)的四到五倍,凸显供需失衡之严重。

  据市场一致预期,三星电子第三季度营业收入有望达206.64万亿韩元,营业利润达116.38万亿韩元,显著高于第二季度的171.50万亿韩元和89.49万亿韩元。

  业内指出,若营业利润突破100万亿韩元,不仅为韩国企业首次,在全球科技巨头中也属首次。

  业内分析人士Ahn Ki-hyun表示:“解决芯片短缺需要建设更多生产工厂。即便计划中的新厂投产,短缺也只会得到缓解,而不会被消除。”这意味着DRAM高景气周期仍将在未来一段时间内延续。

HBM现货价格暴涨至长期合约五倍:存储疯狂内卷加剧现货紧缺

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