SK海力士CEO：预计内存短缺将持续到2030年底

　　SK海力士CEO郭鲁正出席公司首座美国工厂——位于印第安纳州西拉斐特市的奠基仪式时表示，该工厂建成后，到2030年将使印第安纳州成为“美国关键的HBM生产基地”。

　　他同时强调，受AI需求持续激增影响，高带宽内存(HBM)正面临全球性供应短缺，这一态势预计将延续至2030年底。

　　郭鲁正指出：“我们将为客户提供新的美国本土HBM供应来源，同时强化美国半导体供应链，为美国国家安全和经济安全作出贡献。”

　　作为全球HBM市场份额最高的厂商，SK海力士正推进一项规模达7200亿美元的大规模扩产计划，以进一步提升HBM产能，其中绝大部分项目将在韩国本土实施。公司正在韩国建设全球最大的存储芯片晶圆厂园区，相关生产预计于明年2月启动。

　　不过，位于印第安纳州、投资40亿美元的新工厂将主要承担封装业务，而非先进存储晶圆制造。封装是将存储芯片堆叠并互联，组合成高性能产品的关键后端工序。郭鲁正透露，该工厂首座用于封装生产的洁净室预计将于2028年10月正式启用。

　　财务层面，SK海力士已于今年7月登陆纳斯达克，募资265亿美元，创外国公司在美上市融资最高纪录。印第安纳州共和党州长迈克·布劳恩将该工厂项目誉为“印第安纳州史上最大开发项目”，也是美国首个同类设施。

　　郭鲁正预计，到2030年，SK海力士在美投资及资产总额将超过450亿美元，其中包括今年1月成立、规模100亿美元的“AI Company”以及子公司Solidigm。

　　展望市场前景，郭鲁正表示目前未看到存储芯片行业出现明显下行迹象，即便未来需求放缓，也更可能表现为增速趋缓而非大幅下滑，他对2030年后的市场形势并不担忧。