受AI需求爆发式增长和供给持续紧张影响，全球存储芯片市场正经历一轮“超级景气周期”，价格涨势已从上游传导至消费电子终端。
国家发展改革委价格监测中心日前发布数据显示，截至2026年1月，存储芯片两大主要产品DRAM和NAND闪存价格均创下2016年有数据统计以来最高水平。以主流型号为例，1月DRAM(DDR4 8Gb 1G8)合约平均价格为11.5美元，较2025年9月上涨约83%;NAND闪存(128Gb 16G8 MLC)合约平均价格达9.5美元，同期涨幅近1.5倍。
西南证券发布研报指出，本轮超级周期的根本原因在于AI大模型技术超预期迭代升级，全球Token消耗量爆发式增长，由此带来海量的数据存储、处理和检索需求。随着OpenClaw等智能体应用爆发，单次问答转为循环指令，进一步推高Token消耗量，预计2030年将带动年度消耗量增长超3400%。
供给端方面，三星、SK海力士、美光三大原厂将有限产能向利润更高的HBM产品倾斜，导致消费电子所需的DRAM和NAND供应持续吃紧。目前三大厂商库存水平仅3至5周，处于历史极低水平。SK海力士在2月电话会上表示，2026年HBM产能缺口预计达50%至60%，涨价贯穿全年已成定局。
涨势已开始向消费电子终端传导。OPPO、vivo等手机品牌近期宣布上调部分产品价格，涨幅200元至500元不等。研究显示，存储芯片在智能手机物料成本占比已从原先的10%至15%升至30%至40%
免责声明：本文仅代表作者个人观点，与每日科技网无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容。
本网站有部分内容均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责，若因作品内容、知识产权、版权和其他问题，请及时提供相关证明等材料并与我们联系，本网站将在规定时间内给予删除等相关处理.
