中芯国际：FinFET 工艺已经达产，每月 1.5 万片

　　8 月 6 日消息 昨日晚间，中芯国际发布二季度财报，2021 年第二季度的销售收入为 13.4 亿美元，同比增长 43.2%。第二季度毛利为 4.05 亿美元，同比增长 62.9%。

　　今日上午，中芯国际联合首席执行官赵海军在二季度电话会议上表示，“我们的 FinFET 工艺已经达产，每月 1.5 万片，客户多样化，不同的产品平台都导入了。(这部分)产能处于紧俏状态，客户不断进来。”

　　前不久中芯国际吴金刚博士宣布离职。吴金刚博士担任中芯国际研发副总裁，是公司五大核心人才之一，参与了 FinFET 工艺研发。此前吴金刚博士离职时，中芯国际发表公告，表示离职后，吴金刚博士不再担任公司任何职务。目前公司的技术研发工作均正常进行，吴金刚博士的离职未对公司整体研发实力产生重大不利影响。

　　目前，台积电、三星在 5nm/7nm 工艺段都采用 FinFET 结构，而在下一世代 3nm 工艺的晶体管结构选择上，两者出现分歧。三星选择采用 GAA 结构，台积电则出于稳健考虑，选择在第一代 3nm 工艺继续沿用 FinFET 技术。

　　近日，三星代工厂流片了基于环栅 (GAA) 晶体管架构的 3nm 芯片，通过使用纳米片制造出了 MBCFET(多桥通道场效应管)，可显著增强晶体管性能，主要取代 FinFET 晶体管技术。三星执行副总裁兼代工销售和营销主管 Charlie Bae 表示：“基于 GAA 结构的下一代工艺节点(3nm)将使三星能够率先打开一个新的智能互联世界，同时加强我们的技术地位”。

　　分析称，2nm 或将是 FinFET 结构全面过渡到 GAA 结构的技术节点。在经历了 Planar FET、FinFET 后，晶体管结构将整体过渡到 GAAFET 结构上。根据国际器件和系统路线图(IRDS)的规划，在 2021-2022 年以后，FinFET 结构将逐步被 GAA 结构所取代。