华虹半导体宣布 90nm BCD 工艺实现量产：性能高、核心面积小

  6月5日消息据媒体 JCNnewswire报道，华虹半导体近日宣布，其90 nmBCD工艺在华虹无锡12英寸生产线上已经实现了大规模的量产，该工艺具备了性能高、核心面积小等优点。

  华虹半导体表示，其90nmBCD工艺具有更好的电气参数，并得益于12英寸工艺的稳定性和优异的良率，为数字电源、数字音频功放等芯片应用提供了更具竞争力的制造方案。

  华虹半导体执行副总裁范恒表示，“智能硬件种类和应用场景不断增加，对电源管理芯片的需求持续增长，电源管理芯片的性能要求也在不断提高。华虹半导体90nmBCD技术以其高性能指标、小芯片面积等优质特点受到众多客户的青睐。

  BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技术是一种单片集成技术，可以在同一芯片上生产Bipolar、CMOS和DMOS设备，1985年由意大利半导体率先研制成功。随着集成电路技术的进一步发展，BCD技术已经成为PIC的主流制造技术。

  华虹半导体是的纯晶圆代工企业，专注于嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟和电源管理、逻辑和射频等特殊工艺平台。