三星宣布 3nm 芯片成功流片：采用 GAA 架构，性能优于台积电

  6月29日晚，据外媒报道，三星宣布3nm制程技术已正式流片。据悉，三星3nm工艺采用GAA架构，性能优于台积电3nmFinFET架构。

  报告称，三星在3nm工艺中的流片进度是与新思科技合作完成的，旨在加快为GAA架构的生产工艺提供高度优化的参考。由于三星的3nm工艺不同于台积电或英特尔的FinFET结构，而是采用GAA结构。因此，三星采用了新思维技术的FusionDesignPlatform。

  在技术性能上，GAA架构的晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，满足一些栅极宽度的要求。这主要表现在相同尺寸结构下，加强了GAA的通道控制能力，为尺寸进一步微缩提供了可能性。

  这个流片是由Synopsys和三星代工厂合作完成的。到目前为止，三星在2020年完成了3nm技术的开发，但开发成功并不意味着三星产品最终进入量产的时间可以确定。随着流片的成功，三星3nm芯片大规模量产的时间节点正式临近。