中芯国际续单ASML光刻机后 国产光刻胶迎重大进展

　　周一(8日)盘后，上海新阳公告称，经各方积极协商、运作，ASML-1400光刻机设备于今日已进入合作方北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司场地，后续将进行安装调试等相关工作。公司采购的ASML干法光刻机设备顺利交付，对加快193nmArF干法光刻胶产品开发进度有积极影响。

　　值得注意的是，天眼查数据显示，合作方北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司的股东为核心链融创集成电路产业发展(北京)有限公司，该公司由26家国内半导体企业共同出资组建，其中包括北京凯世通半导体有限公司。北京亦庄和中芯国际的股权比例分别为25%和25%，位居第二。

　　项目立项4年屡次受挫，国产替代浪潮终现曙光。

　　对上海新阳自身而言，ASML干式光刻机设备的顺利交付意义非凡。据公开资料显示，早在2016年底，上海新阳就已经开始研发193纳米干法光刻胶，但在后续的研发过程中，进展却一再受挫。

　　2017年3月，上海新阳和上海逸纳共同出资，成立芯刻微，从事193nm干法高端光刻胶产品的研发及产业化，但两家公司在次年5月终止合作;同年12月，两家公司以自有资金投资江苏博砚电子科技有限公司，并拥有博砚电子公司10%股权，后者主要从事与平板显示行业相关的光刻胶产品的研发、生产。

　　上海新阳将于2019年10月启动合肥二号生产基地项目。合肥基地占地115亩，总投资约6亿元。按规划，一期投资3亿元，占地50亩，建成投产后形成年产超纯化工产品15000吨的生产能力。按照公司在定增公告中的说法，此次定增计划将部分资金用于该项目。

　　到2020年，上海新阳对这一项目的投资将更加激进。八月份，公司公告拟追加募资不超过15亿元，其中7.32亿元用于集成电路制造用高端光刻胶的研发，产业化。重点发展ArF干法生产用光刻胶及面向3DNAND级腐蚀的KrF厚膜光刻胶产品，力争到2023年实现上述产品的产业化。

　　11月份，公司再次公告，拟向特定对象发行股票不超过14.5亿元的募集资金中，有8.15亿元将用于上述项目。如项目进展顺利，预计KrF厚膜光刻胶项目将于2021年开始量产，2022年可量产，ArF(干式)光刻胶项目预计于2022年开始量产，2023年开始量产，各产品的年预计销售收入合计将接近2亿元。

　　去年3月16日，东吴证券分析师柴沁虎在报告中指出，上海新阳一直致力于半导体光刻胶产业化，虽然中间经历了一段弯路，但参股博砚电子后，可以有效地借鉴博砚电子的成功经验。与此同时，公司与博砚电子也有一定程度的产业协同，认为公司是国内最有可能率先在集成电路用高端光刻胶领域实现实质性突破的企业。

　　关键设备“松绑”阿斯麦国产高端光刻胶持续突破。

　　自去年以来，国产替代浪潮席卷半导体产业，而光刻胶作为半导体光刻工艺的核心材料，决定着半导体制图工艺的度和良率，成为最为引人注目的环节之一。

　　2015年12月17日，南大光电公告，控股子公司宁波南大光电自主研发的193nmArF光刻胶产品成功通过客户使用证明，标志着ArF光刻胶国内通过产品验证的国产产品诞生，标志着长期以来被国外垄断的ArF光刻胶最终走向国产化。

　　根据不同的工艺路线，半导体光刻胶可以分为EUV光刻胶、ArF光刻胶、KrF光刻胶和G线、i线光刻胶，前三种光刻胶都是高端产品，产业信息网的数据显示，到2019年国内g/i线光刻胶只有20%的自给率，KrF光刻胶自给率不足5%，而KrF光刻胶则完全依靠进口。

　　国内高端光刻胶替代产品困难的背后，是国内企业在研发过程中严重依赖高端光刻胶。因为光刻胶的研制开发需要有相应光刻机的支持，量产后需要在光刻机上进行连续调试。而且光刻机价格昂贵，国内半导体材料企业承受不了，因此高端光刻胶基本被日本和欧美垄断。

　　本月3日，中芯国际宣布，已与荷兰光刻机制造商阿斯麦签署12.02亿美元的采购合同。另外，科创板日报1日获悉，为中芯国际提供高制程(14nm及以上)工艺部件所需设备的美国设备制造商已获美许可证。

　　针对这一情况，华金证券胡慧小组3月7日发布报告称，中芯国际14nm及以上成熟制程禁令“松绑”，表明我国大陆晶圆代工龙头在成熟制程上的发展前景更加明朗，未来美国设备供应商有望获得更多的供货许可。

　　当日中金公司彭虎团队报告也指出，半导体设备和材料是高端制造业发展的基础，在获得美国设备许可的同时，中芯国际建议重点关注上游设备和原材料。

　　另外，据华泰证券胡剑团队2020年11月18日报道，在半导体供应链安全日益受到重视的背景下，国产光刻胶的研发与量产或将加速，国内厂商计划扩大被日美垄断的半导体光刻胶领域的投资，并在高端ArF光刻胶领域的研发与量产方面持续突破。