【每日科技网】
7月29日消息 SK海力士公司今天宣布，已经开发并开始大规模生产世界上第一款128层1 Tb (Terabit) TLC 4D NAND闪存。
据介绍，128层的1tb NAND芯片提供了业界的垂直堆叠，拥有3600多亿个NAND单元，每个单元在一个芯片上存储3位。
SK 海力士称，包括SK海力士在内的许多公司已经开发了1 Tb QLC NAND产品，但SK海力士是第一个将1 Tb TLC NAND闪存商业化的公司。TLC在NAND闪存市场中占有85%以上的份额，具有良好的性能和可靠性。
SK海力士计划明年上半年为主要旗舰智能手机客户开发下一代UFS 3.1产品，拥有128层1tb NAND闪存，1毫米厚封装，功耗降低20%。
免责声明：本文仅代表作者个人观点，与每日科技网无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容。
本网站有部分内容均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责，若因作品内容、知识产权、版权和其他问题，请及时提供相关证明等材料并与我们联系，本网站将在规定时间内给予删除等相关处理.
