Intel目瞪口呆!三星狂魔:8/7/6nm都来了

2017-03-17 08:40:16  来源:快科技

        【每日科技网】

 

  三星电子今天宣布,10nm FinFET工艺自从2016年10月底率先投产以来,按照预期取得了稳定的高良品率,满足了客户需求——这显然是在驳斥业内有关10nm良率不佳的传闻。
  三星透露,迄今为止,已经出货了超过7万块采用第一代10nm LPE(Low Power Earlr)工艺制造的晶圆。
  三星自家的Exynos 8895,以及高通的骁龙835,都采用这种工艺制造。
  另外,三星还宣布增加8nm、6nm工艺,它们分别是10nm、7nm的改进版,官方宣称“可比现有工艺提供更好的灵活性、性能、功耗优势”,满足不同客户需求,带来更强的成本竞争优势。
  三星将在5月24日举办美国三星代工论坛,披露8nm、6nm的更多技术细节。

免责声明:本文仅代表作者个人观点,与每日科技网无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。

相关新闻

图片中心